1. BSC886N03LS G
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

BSC886N03LS G 

产品描述

MOSFET N-KANAL POWER MOS

内部编号

173-BSC886N03LS-G

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:5000
1+¥1.9262
25+¥1.8492
100+¥1.7722
500+¥1.6951
1000+¥1.618
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:3519
1+¥4.171
10+¥3.4736
100+¥2.2428
1000+¥1.7915
5000+¥1.5111
10000+¥1.4496
25000+¥1.3949
50000+¥1.3402
最小起订量:1
美国加州
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#3

数量:10000
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

BSC886N03LS G产品详细规格

规格书 BSC886N03LS G datasheet 规格书
BSC886N03LS
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 5,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 65A
Rds(最大)@ ID,VGS 6 mOhm @ 30A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.2V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 26nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 2100pF @ 15V
功率 - 最大 39W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-PowerTDFN
供应商器件封装 PG-TDSON-8
包装材料 Tape & Reel (TR)

BSC886N03LS G系列产品

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